Компания Samsung представила новейшие технологические разработки в сфере памяти и систем хранения данных на выставке Future of Memory and Storage в Санта-Кларе. Новые аппаратные решения ориентированы главным образом на инфраструктуру искусственного интеллекта и центры обработки данных.
Инновации в архитектуре zHBM
На мероприятии были показаны первые концептуальные модели zHBM. Эта новая архитектура памяти создана на базе HBM, которая применяется в чипах для искусственного интеллекта, специализированных ускорителях и некоторых графических процессорах верхнего ценового сегмента. Ключевой особенностью zHBM стало вертикальное размещение памяти прямо над ИИ-ускорителями, а не рядом с ними, как это делалось ранее. Такой подход обеспечивает увеличение производительности до восьми раз.
Кроме того, в разработке применяется следующее поколение технологии соединения пластин. Это позволяет достичь плотности памяти, более чем в десять раз превышающей показатели актуальной технологии HBM5, при одновременном трехкратном росте энергоэффективности.
Память V10 BV-NAND и решения для периферийного ИИ
Помимо серверных решений, южнокорейский производитель продемонстрировал новый тип памяти V-NAND для твердотельных накопителей и карт памяти. Разработка под названием V10 BV-NAND использует архитектуру соединения, которая объединяет более 400 слоев ячеек памяти. По сравнению с предыдущим поколением V9 плотность памяти выросла примерно на 58 процентов, а также улучшились показатели чтения, записи и ввода-вывода.
Еще одной новинкой стал продукт zNAND-O — следующее поколение V-NAND, объединяющее высокую эффективность использования пространства, повышенную производительность ввода-вывода и низкие задержки. Решение спроектировано для работы в средах периферийного искусственного интеллекта. Дополнительно компания показала LPDDR5X-PIM, ставшую первой в отрасли памятью типа LPDDR с технологией обработки данных непосредственно внутри памяти для повышения общей эффективности.
