С осени 2022 года власти США ввели ограничения на поставки в Китай оборудования, необходимого для выпуска чипов памяти 3D NAND с количеством слоёв более 128. Однако для южнокорейских гигантов Samsung и SK hynix, обладающих масштабными производственными мощностями в КНР, были сделаны исключения. Это позволит Samsung начать серийное производство 286-слойной памяти 3D NAND на своём предприятии в Сиане уже в следующем году.
Южнокорейские компании предоставили американским регуляторам гарантии того, что высокотехнологичное оборудование не будет передано третьим лицам. Как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung уже приступила к массовому производству 236-слойных микросхем 3D NAND на заводе в Сиане в конце марта. В настоящее время производственные линии площадки постепенно отказываются от выпуска устаревшей 128-слойной памяти, подготавливая мощности для перехода на 286-слойный техпроцесс. В течение некоторого времени оба поколения чипов будут выпускаться параллельно. Отметим, что сианьское предприятие обеспечивает около 40% от общего объёма 3D NAND, поставляемого Samsung на мировой рынок.
Параллельно с этим, на основных мощностях в Южной Корее Samsung готовит технологию производства памяти нового поколения с количеством слоёв, превышающим 400. Запуск этого процесса запланирован на вторую половину текущего года. Конкурирующая компания SK hynix в ближайшие два года намерена наладить серийный выпуск 300-слойных чипов с применением технологии гибридного соединения, в то время как её текущие 321-слойные решения производятся по более классическим методикам. В свою очередь, китайская YMTC, несмотря на адресные санкции США, уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Кроме того, компания Huawei недавно представила альтернативный подход, позволяющий повысить общую ёмкость твердотельных накопителей без необходимости наращивания количества слоёв 3D NAND.
