Компания Samsung Electronics, недавно отчитавшаяся о запуске поставок тестовых образцов памяти стандарта HBM4E, уже активно работает над следующим поколением — HBM5. На прошедшей выставке Computex 2026 производитель представил масштабный макет будущего чипа. Несмотря на демонстрационный характер экспоната, он наглядно показывает, что Samsung делает ставку на сложнейшие технологические решения.
Технологические особенности HBM5
Фундаментальное отличие HBM5 заключается в производстве базового кристалла: компания планирует выпускать его собственными силами, используя передовой 2-нм техпроцесс. Количество слоев DRAM, изготавливаемых по технологии класса 1c, в зависимости от конфигурации стека будет варьироваться от 12 до 20 штук. Сон Чжэ Хёк, технический директор профильного подразделения Samsung Electronics, подтвердил, что при создании 2-нм кристаллов будет применяться компоновка транзисторов с окружающим затвором (GAA). Более того, руководство компании выразило уверенность в возможности освоения норм тоньше 1 нм в обозримом будущем. Наличие собственного контрактного подразделения дает Samsung преимущество в удовлетворении запросов крупнейших заказчиков, включая Nvidia.
Охлаждение и производительность
Для сравнения, текущее поколение HBM4E опирается на 4-нм базовый кристалл и техпроцесс 1c для DRAM. Ключевым нововведением в HBM5 станет внедрение теплоотводного канала, получившего название Heat Path Block (HPB). Поскольку память нового стандарта существенно увеличит количество слоев и общую скорость обмена данными, эффективный отвод тепла становится критически важным фактором стабильности. Отработанная на HBM4E база позволит инженерам Samsung масштабировать продвинутые методы охлаждения.
Массовый выпуск памяти HBM5 запланирован на 2028 год. В дальнейшем, в рамках развития стандарта HBM5E, компания планирует перевести производство кристаллов DRAM на еще более совершенный техпроцесс 1d.
Конкурентная среда
Samsung не одинока в своих разработках. Основной конкурент в лице SK hynix планирует внедрить технологию iHBM для охлаждения элементов стека в рамках массового производства HBM5. Стоит отметить, что южнокорейский коллега также намерен использовать 2-нм техпроцесс при создании своих решений, что подтверждает общность технологических векторов лидеров индустрии.
