Производители активно совершенствуют технологии выпуска не только оперативной, но и энергонезависимой памяти. Компания Sandisk, один из ключевых разработчиков стандарта HBF (High Bandwidth Flash), планирует до конца текущего года запустить в Японии пилотную линию по производству памяти нового типа. Массовое же производство ожидается уже в 2027 году.
По данным издания ETNews, компания уже начала подбор необходимых материалов, комплектующих и производственного оборудования. Технология HBF предполагает использование вертикальной компоновки по аналогии с памятью HBM. Ожидается, что экспериментальная линия будет смонтирована в ближайшем полугодии, а первые образцы продукции Sandisk рассчитывает получить до конца 2026 года. Если производственный процесс пойдет без задержек, Sandisk сможет наладить серийный выпуск HBF примерно на полгода раньше первоначальных прогнозов.
Важным фактором станет совместимость: производство HBF частично опирается на оборудование и технологии, уже используемые для выпуска HBM, что упрощает поиск поставщиков. Тем не менее конкуренция обещает быть серьезной, так как китайские производители микросхем также готовятся к выходу на этот рынок. В вопросах стандартизации технологии Sandisk активно сотрудничает с SK hynix, совместно с которой ранее был представлен стандарт сверхскоростной флеш-памяти HBF. Ожидается, что пик спроса на такие решения придется на 2030 год. К разработке HBF также проявляет интерес Samsung Electronics, работающая в этом направлении с начала десятилетия, однако компания пока не анонсировала конкретные сроки рыночного дебюта своих изделий.
Предполагается, что память HBF позволит размещать значительные массивы данных в непосредственной близости к графическим процессорам, существенно ускоряя работу систем искусственного интеллекта в задачах инференса. Несмотря на то что по чистой скорости передачи данных HBF уступает HBM, она превосходит ее по плотности хранения информации до 16 раз. Так, один 16-ярусный стек HBF способен хранить до 512 Гбайт данных. Конфигурация из восьми таких стеков вокруг GPU позволит обеспечить общий объем памяти до 4 Тбайт, что крайне востребовано при переходе индустрии от обучения больших языковых моделей к их активному использованию.
